電子機器・電子部品

2025 化合物半導体関連市場の現状と将来展望

LEDの普及やLDの応用分野拡大によって市場を確立した化合物半導体。RFデバイスやパワー半導体への展開においてSi半導体に対する優位性は大きく、化合物半導体の市場性や価値はこれまで以上に高まっています。RFデバイスにおいては停滞期に入っているものの6G通信に向けた基地局・携帯端末向け製品に期待が寄せられています。一方のパワー半導体は、SDGs、環境負荷低減、カーボンニュートラルを目指すEV市場において、急速に需要を拡大しています。本市場調査資料ではRF/パワーデバイスなどを化合物半導体の中核市場と位置付け、化合物半導体における基板およびメーカーの取り組み状況などを調査・分析することで、化合物半導体関連市場の全体を俯瞰します。

商品コード：832408805
ISBN978-4-8351-0049-4

発刊日	2024年12月20日
価格	198,000円（税込）
レポート種別	市場調査資料
体裁	書籍版/A4/262P
調査期間	2024年8月～2024年11月
発刊元	富士キメラ総研

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調査背景

本市場調査資料では化合物半導体とその有望アプリケーション、関連する部材の市場や製品トレンドを整理することで、当該市場における事業展開に有益な情報を提供することを目的とした。

調査対象

■アプリケーション(4品目)
　データセンター、基地局、自動車、モバイル機器
■化合物半導体
　■パワーデバイス(5品目)
　GaN on GaN パワー、GaN on Si パワー、GaN on サファイア パワー、SiC on SiC パワー、その他次世代系パワー(Ga2O3、GeO2、ダイヤモンド)
　■RFデバイス(4品目)
　GaAs RF、GaN on SiC RF、GaN on Si RF、その他次世代系RF(InP、Ga2O3、ダイヤモンド)
　■LEDパッケージ(2品目)
　赤外光LEDパッケージ、紫外光LEDパッケージ
　■LEDチップ(4品目)
　GaN系LEDチップ、GaAs・GaP系LEDチップ、赤外光LEDチップ、紫外光LEDチップ
　■MiniLED・MicroLED(2品目)
　MiniLED、MicroLED
　■LD(3品目)
　VCSEL・PCSEL、DFB/CW＋SiPh/ITLA/IC-TROSA、ファブリペロー/QD LD/励起レーザー
　■その他光デバイス(2品目)
　化合物エリアイメージセンサー、PD・APD
■関連部材
　■基板(9品目)
　GaAs基板、GaN on Others基板、GaN基板、InP基板、SiC基板、AlN基板、ダイヤモンド基板、Ga2O3基板、GeO2基板
　■その他部材(11品目)
　放熱基板(AlN)、放熱基板(Si3N4)、放熱基板(Al2O3)、放熱基板(メタル)、シンタリングペースト、放熱ギャップフィラー、放熱シート、厚銅基板、セラミックパッケージ、ボンディングワイヤ、DIP＋はんだ/プレスフィット/バスバー

調査項目

■アプリケーション
　1) 製品概要/定義
　2) ワールドワイド市場動向
　　■市場規模推移・予測
　3) 国、地域別動向
　4) 化合物半導体の採用動向
　　(1) 製品別採用動向
　　(2) 注目デバイスの動向
　5) 技術動向
　6) 関連企業動向
■化合物半導体/関連部材
　1) 製品概要/定義
　2) ワールドワイド市場動向
　　(1) 市場規模推移・予測
　　(2) 価格動向(2024年Q4時点)
　　(3) 国、地域別 動向
　3) タイプ別動向
　4) メーカーシェア
　5) 主要メーカー生産拠点、動向
　　(1) 生産拠点
　　(2) メーカー動向
　6) 用途別動向
　7) 用途一覧
　8) 製品ロードマップ

1.0 総括　　1
　1.1 化合物半導体デバイス関連市場の動向　　3
　1.2 化合物半導体市場規模推移・予測　　7
　1.3 化合物半導体市場動向　　9
　　1.3.1 化合物パワーデバイス市場動向　　9
　　1.3.2 化合物RFデバイス市場動向　　15
　　1.3.3 化合物光デバイス市場動向　　19
　　1.3.4 非可視光LEDの業界マップと成長性　　31
　　1.3.5 化合物基板の技術ロードマップと用途別すみ分け　　33
　　1.3.6 化合物半導体向け放熱部材動向　　42
　　1.3.7 化合物半導体関連実装部材の動向　　48
2.0 アプリケーション　　51
　2.1 データセンター　　53
　2.2 基地局　　57
　2.3 自動車　　61
　2.4 モバイル機器　　67
3.0 化合物半導体　　73
　3.1 パワーデバイス　　75
　　3.1.1 GaN on GaN パワー　　75
　　3.1.2 GaN on Si パワー　　79
　　3.1.3 GaN on サファイア パワー　　84
　　3.1.4 SiC on SiC パワー　　87
　　3.1.5 その他次世代系パワー(Ga2O3、GeO2、ダイヤモンド)　　94
　3.2 RFデバイス　　101
　　3.2.1 GaAs RF　　101
　　3.2.2 GaN on SiC RF　　105
　　3.2.3 GaN on Si RF　　110
　　3.2.4 その他次世代系RF(InP、Ga2O3、ダイヤモンド)　　112
　3.3 LEDパッケージ　　116
　　3.3.1 赤外光LEDパッケージ　　116
　　3.3.2 紫外光LEDパッケージ　　120
　3.4 LEDチップ　　125
　　3.4.1 GaN系LEDチップ　　125
　　3.4.2 GaAs・GaP系LEDチップ　　131
　　3.4.3 赤外光LEDチップ　　135
　　3.4.4 紫外光LEDチップ　　139
　3.5 MiniLED・MicroLED　　143
　　3.5.1 MiniLED　　143
　　3.5.2 MicroLED　　150
　3.6 LD　　156
　　3.6.1 VCSEL・PCSEL　　156
　　3.6.2 DFB/CW＋SiPh/ITLA/IC-TROSA　　161
　　3.6.3 ファブリペロー/QD LD/励起レーザー　　164
　3.7 その他光デバイス　　167
　　3.7.1 化合物エリアイメージセンサー　　167
　　3.7.2 PD・APD　　171
4.0 関連部材　　175
　4.1 基板　　177
　　4.1.1 GaAs基板　　177
　　4.1.2 GaN on Others基板　　182
　　4.1.3 GaN基板　　187
　　4.1.4 InP基板　　192
　　4.1.5 SiC基板　　197
　　4.1.6 AlN基板　　202
　　4.1.7 ダイヤモンド基板　　207
　　4.1.8 Ga2O3基板　　212
　　4.1.9 GeO2基板　　217
　4.2 その他部材　　220
　　4.2.1 放熱基板(AlN)　　220
　　4.2.2 放熱基板(Si3N4)　　223
　　4.2.3 放熱基板(Al2O3)　　227
　　4.2.4 放熱基板(メタル)　　231
　　4.2.5 シンタリングペースト　　236
　　4.2.6 放熱ギャップフィラー　　242
　　4.2.7 放熱シート　　246
　　4.2.8 厚銅基板　　251
　　4.2.9 セラミックパッケージ　　253
　　4.2.10 ボンディングワイヤ　　257
　　4.2.11 DIP＋はんだ/プレスフィット/バスバー　　261

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提供利用形態（料金）

商品形態	ネットワーク共有	価格（税込み）下段：本体価格
書籍版	ー	198,000円 180,000円
書籍／PDF版セットレポート本文(PDFファイル)をCD-ROMで提供します。		231,000円 210,000円
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